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功能氧化物薄膜异质外延集成：通往高性能增强型HEMT器件之路

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域持续发展的进程中，功能氧化物薄膜异质外延集成以及增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）器件成为了研究热点，在现代电子技术里占据着极为关键的位置，有着重大的研究价值。

功能氧化物薄膜凭借其独特的物理性质，像是铁电性、磁性、压电性以及超导性等，为半导体器件性能的提升与新功能的开发带来了诸多可能。通过异质外延集成技术，能够把不同功能的氧化物薄膜与半导体材料精准地结合在一起，进而实现对器件电学、光学以及磁学等性能的有效调控。举例来说，在一些光电器件中，利用氧化物薄膜的光电特性，能够显著提高器件的