中南大无机材料科学基础课件03晶体结构缺陷.pptVIP

非化学计量化合物：实际化合物中负离子与正离子的比例不符合定比或倍比定律的化合物。特点：1）产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关；2）可看作是本身高低氧化态之间的固溶体；3.4非化学计量化合物3）缺陷浓度与温度有关；4）都是半导体。两大类半导体材料：掺杂半导体：如Si、Ge中掺杂B、P，Si中掺P为n型半导体；非化学计量化合物半导体金属离子过剩（n型）：负离子缺位和间隙正离子负离子过剩（p型）：正离子缺位和间隙负离子一、由于负离子缺位，使金属离子过剩如TiO2-x，ZrO2-x，产生原因是环境中缺氧，晶格中的氧逸出到大气中，使晶体中出现了氧空位。缺陷反应方程式应如下：又∵TiTi+e=TiTi等价于根据质量作用定律，平衡时，[e]=2[]：1）∴TiO2的非化学计量对氧压力敏感，在还原气氛中才能形成TiO2-x。烧结时，氧分压不足会导致升高，得到灰黑色的TiO2-x，而不是金黄色的TiO2。2），电导率随氧分压升高而降低。3）若