摘要
近年来,为了满足航空航天、新能源发电、储能并网、国防科技等尖端领域
的需求,电力电子装置正向着大容量、小体积、高效率以及高稳定性等方面发展。
Si
传统的硅()基器件由于受制于材料本身的一些固有局限,因此很难在耐压等
级和开关频率等方面取得进一步提升。相比之下,碳化硅(SiC)器件具有更强
的耐高温能力、更快的开关速度和更低的开关损耗,因此可以更好地适用于高温、
SiC
高频的场合中。然而,由于器件的成本较高
您可能关注的文档
最近下载
- 人教版六年级下册数学总复习教案范文.pdf VIP
- §1-3 重力坝的稳定及应力分析.ppt VIP
- 古典诗词鉴赏超星尔雅学习通答案100分最新版.doc VIP
- 安徽16个市风向风速玫瑰图(用于风速模拟).xlsx VIP
- 大专-机电一体化毕业论文.docx VIP
- 伊犁英雄酒业有限责任公司年产500吨白酒项目环评报告.docx VIP
- T∕ZZB 1174-2019 电力电缆保护用改性聚丙烯(MPP)导管.pdf VIP
- 2026年烟花爆竹经营单位安全生产培训考试试题及答案.docx VIP
- 高考真题讲解专题16 统计概率(大题).pdf VIP
- 《T/CAQI 091-2019食用豌豆蛋白》.pdf
原创力文档

文档评论(0)