Si_SiC混合器件的损耗分析及软件设计与验证.pdf

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摘要

近年来,为了满足航空航天、新能源发电、储能并网、国防科技等尖端领域

的需求,电力电子装置正向着大容量、小体积、高效率以及高稳定性等方面发展。

Si

传统的硅()基器件由于受制于材料本身的一些固有局限,因此很难在耐压等

级和开关频率等方面取得进一步提升。相比之下,碳化硅(SiC)器件具有更强

的耐高温能力、更快的开关速度和更低的开关损耗,因此可以更好地适用于高温、

SiC

高频的场合中。然而,由于器件的成本较高

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