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纳米加工工艺工程师笔试试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在半导体器件制造中，下列哪种材料通常用作器件的隔离层？

A.铝（Al）

B.氮化硅（SiN）

C.多晶硅（Poly-Si）

D.二氧化硅（SiO2）

2.光刻工艺中，用于传递图形到光刻胶上的光源，从DUV到EUV，其波长变化趋势是？

A.变长

B.变短

C.先变长后变短

D.保持不变

3.以下哪种刻蚀技术属于干法刻蚀？

A.化学湿法刻蚀

B.等离子体刻蚀

C.干法离子轰击刻蚀

D.超声波清洗

4.在原子层沉积（ALD）过程中，每个循环包含两个半反应，分别与哪种物质反应？

A.氢气和氧气

B.硅烷（SiH4）和氮气

C.气体前驱体和活性气体/脉冲惰性气体

D.盐酸和氨气

5.光刻胶在曝光后，未经显影液处理，其感光部分会发生什么变化？

A.凝聚

B.溶解

C.氧化

D.沉淀

6.等离子体刻蚀中，增加离子束能量通常会导致？

A.刻蚀速率显著下降

B.刻蚀选择性和均匀性变差

C.工艺成本大幅增