CN120265116A 一种含叠层氧化物介质的阻变存储器及其制造方法 （中国电子科技南湖研究院）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120265116A

(43)申请公布日2025.07.04

(21)申请号202510233903.2

(22)申请日2025.02.27

(71)申请人中国电子科技南湖研究院

地址314000浙江省嘉兴市南湖区七星路

111号

(72)发明人倪金玉

(51)Int.Cl.

H10N70/20(2023.01)

H10N70/00(2023.01)

H10B63/00(2023.01)

权利要求书1页说明书7页附图5页

(54)发明名称

一种含叠层氧化物介质的阻变存储器及其

制造方法

(57)摘要

本申请公