CN120081664A 一种高介电低损耗介质材料及其制备方法 （昆山清元电子科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120081664A

(43)申请公布日2025.06.03

(21)申请号202510224356.1

(22)申请日2025.02.27

(71)申请人昆山清元电子科技有限公司

地址215300江苏省苏州市昆山市开发区

盛晞路3号12幢406室

(72)发明人刘亦谦余杭刘隽甫孙士伦

(74)专利代理机构无锡苏元专利代理事务所

(普通合伙)32471

专利代理师巫美金

(51)Int.Cl.

C04B35/468(2006.01)

C04B35/622(2006.01)

C04B35/638(2006.01)