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2026年研发阶段培训试题及答案

1.单项选择题（每题2分，共20分）

1.1在2026年主流3nmFinFET工艺中，栅极有效长度Lg与沟道长度Lch的近似关系为

A.Lg≈Lch+2ΔL?B.Lg≈Lch?2ΔL?C.Lg≈Lch?D.Lg≈2Lch

答案：A

1.2下列哪一项不是ISO/SAE21434对汽车电子研发阶段的要求

A.威胁分析与风险评估(TARA)?B.安全文化审计?C.持续漏洞管理?D.整车碰撞测试

答案：D

1.3在DOE实验设计中，若因子A为三水平，因子B为二水平，采用全因子设计，所需最少实验次数为

A.5?B.6?C.8?D.9