CN119730331A 提升高频性能的碳化硅mosfet版图结构及制作方法 (山东大学).pdfVIP

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  • 2026-04-26 发布于重庆
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CN119730331A 提升高频性能的碳化硅mosfet版图结构及制作方法 (山东大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119730331A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202510206146.XH10D30/01(2025.01)

(22)申请日2025.02.25

(71)申请人山东大学

地址250061山东省济南市历城区山大南

路27号

(72)发明人崔潆心刘芝新

汉多科·林那威赫韩吉胜

徐现刚

(74)专利代理机构西安铭泽知识产权代理事务

所(普通合伙)61223

专利代理师梁静

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(

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