CN120187047A 一种凹槽阳极全自对准结构高压氮化镓肖特基二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120187047A

(43)申请公布日2025.06.20

(21)申请号202510229774.X

(22)申请日2025.02.28

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人张金风刘偌伟张涛许晟瑞

张进成郝跃

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230

专利代理师王萌

(51)Int.Cl.

H10D8/60(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D64/23(2