CN120187068A 一种具有不对称沟槽结构的ldmos及制造方法 （浙江大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120187068A

(43)申请公布日2025.06.20

(21)申请号202510237279.3

(22)申请日2025.03.02

(71)申请人浙江大学

地址310058浙江省杭州市西湖区余杭塘

路866号

申请人浙江创芯集成电路有限公司

浙江大学杭州国际科创中心

(72)发明人叶依婷许凯

(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公

司33200

专利代理师忻明年

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)