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30V 16.5A N-通道功率沟槽MOSFET特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-04-29 发布于北京
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30V 16.5A N-通道功率沟槽MOSFET特性与应用.pdf

    七月2012

    FDMC8878N‑通道功率沟槽®

    MOSFET30V,16.5A,14m

    特性概述

    最大rDS(导通)=14m在VGS=10V，I

    这款N‑通道MOSFET是公平儿童公司先进的功率沟槽工

    D=9.6A最大rDS(导通)=17m在VGS=4.艺的坚固栅极版本。它已针对电源管理应用进行了优化。

    5V，ID=8.7A低轮廓‑0.8符合RoHS标

    在MLP3.3x3.3中最大为3.3毫米

    准

    应用

    直流‑直流转换

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