微机原理及接口技术半导体存储器讲课文档.pptVIP

微机原理及接口技术半导体存储器;;ROM种类

掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改

PROM：允许一次编程，此后不可更改

EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程

EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写

FlashMemory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除;;①存储体;②地址译码电路;③片选和读写控制逻辑;6.2.1静态RAM

1.六管静态存储电路:存储一个二进制位。

反相器交叉耦合组成双稳态触发电路。

T3、T4为负载管

T1、T2为反相管。

T5、T6为选通管。

T1和T2的状态——一位二进制信息。

B点状态代表数据状态

写入时

由I/O线输入:若I/O=1，使Q2导通，Q1截止，A=1，B=0。

读出时

A、B点信号由T5、T6送出到I/O线上。若A=1，B=0，则I/O=0。;*;2.典型RAM芯片举例

静态RAMIntel2114;存储容量为8K×8

28个引脚：

13根地址线A12～A0

8根数据线D7～D0

片选CS1*、CS2

读写WE*、OE*;6.2.1动态RAM

1、动态基本存储电路;6.2读写存储器RAM;6.2读写存储器RAM;EPROM;EPROM芯片2764;EPROM芯片27256;EEPROM;EEPROM芯片281