石墨烯制备与应用技术手册.docx

石墨烯制备与应用技术手册

第1章石墨烯制备原理与工艺路线

1.1化学气相沉积法(CVD)技术机理与参数优化

1.1.1碳源分解与石墨烯层状结构的形成

在反应腔内,以石墨为碳源,通过高温(通常800-1200℃)和氢气氛围,使石墨晶格中的sp2键发生均裂和重组。的碳原子在金属催化剂(如钼、钨或镍)表面吸附,形成亚稳态的碳前驱体,随后通过热分解反应转化为石墨烯片层。

随着温度升高,碳原子逐渐从二维平面向三维堆叠过渡,最终形成具有特定晶格取向(如r-66°)的石墨烯薄膜。反应过程中,氢气作为还原剂,不断清除催化剂表面的碳沉积物,防止催化剂被碳化堵塞,同时抑制碳微粒的。

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