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Mn:AlAs稀磁半导体中无序杂质的第一性原理研究：微观结构与性能关联

一、引言

1.1研究背景

在现代信息技术飞速发展的浪潮中，对新型材料和器件的探索始终是推动技术进步的关键力量。稀磁半导体作为一类极具潜力的新型材料，因其独特的性质，在自旋电子学、磁光器件、量子计算等多个前沿领域展现出了巨大的应用前景，成为了材料科学和凝聚态物理领域的研究热点之一。自旋电子学作为一门新兴学科，旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，有望突破传统半导体器件的性能瓶颈，为下一代信息技术的发展开辟新的道路。稀磁半导体由于同时具备半导体的电学特性和磁性材料的磁学特性，能够有效地实现自旋和电荷的耦合，为自