摘要
硅片作为半导体及微电子机械系统领域的基础性衬底材料,在半导体材料体
系中占据主导地位。然而其生产过程中存在的杂质原子掺杂浓度偏低、掺杂类型
单一及分布均匀性不足等问题,易影响硅片导电性能,进而影响半导体器件的性
能表现。因此,实现硅片电导率的精确检测具有重要研究价值。相较于其他检测
方法,电导率涡流检测技术虽具有非接触、高效率、低成本等优势,但硅片电导
率低、厚度小的特性导致传统对数与幂函数校准的涡流检测方法存在测量精度不
足的显著问题。因此,本研究通过构建有限元仿真模型,开展硅片电导率涡流检
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