SiC功率器件光刻胶显影工艺优化项目可行性研究报告.docx

SiC功率器件光刻胶显影工艺优化项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

本项目名称为SiC功率器件光刻胶显影工艺优化项目，由深圳锐芯半导体技术有限公司投资建设，建设性质为技术改造及扩建。项目选址定于江苏省无锡市新吴区无锡国家高新技术产业开发区，该区域是国内半导体产业集群核心区域，产业基础雄厚、配套设施完善。

项目总投资估算为18650.50万元，其中一期工程投资10820.30万元，二期工程投资7830.20万元。一期工程主要包括工艺研发中心建设、现有生产线改造及核心设备购置；二期工程聚焦规模化生产配套及产业链延伸设施建设。项目资金全部由企业自筹，无银行贷款。

建设规模方面，项目建成后将