CN119480819A 功率半导体封装器件及功率控制方法 (深圳市鲁光电子科技有限公司).docxVIP

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  • 2026-05-02 发布于山西
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CN119480819A 功率半导体封装器件及功率控制方法 (深圳市鲁光电子科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119480819A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510067220.4

(22)申请日2025.01.16

(71)申请人深圳市鲁光电子科技有限公司

地址518000广东省深圳市福田区沙头街

道天安社区泰然九路11号海松大厦B座13A07

(72)发明人朱礼贵陈维伟侯智杰朱珂硕侯玉军秦连杰

(74)专利代理机构深圳市中企同达专利代理事务所(普通合伙)441182

专利代理师冯建中

(51)Int.Cl.

H01L23/427(2006.01)

H01L23/367(2006.01)

G01L11/00(2006.01)

G01L19/00(2006.01)

G01B21/02(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

功率半导体封装器件及功率控制方法

(57)摘要

CN119480819A本申请公开了功率半导体封装器件及功率控制方法,功率半导体封装器件包括基板;半导体芯片;均热板包括蒸发侧、冷凝侧和压力检测通道,蒸发侧与第二面热接触,均热板内部设置有用于存储冷却介质的储液腔,所述压力检测通道设置于所述冷凝侧,并与所述储液腔连通;散热器,与所述冷凝侧连接;压力检测装置,包

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