CN119480860A 一种厚片功率器件的导通电阻测试方法及测试结构 （浙江创芯集成电路有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119480860A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510059313.2

(22)申请日2025.01.15

(71)申请人浙江创芯集成电路有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区建设三路733号

(72)发明人李晨明仰文淇崔云龙

(74)专利代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)33240

专利代理师朱亚冠

(51)Int.Cl.

H01L23/544(2006.01)

G01R27/08(2006.01)

G01R31/26(2020.01)

H01L21/66(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图1页

(54)发明名称

一种厚片功率器件的导通电阻测试方法及

测试结构

(57)摘要

CN119480860A本发明公开一种厚片功率器件的导通电阻测试方法及测试结构。本发明导通电阻测试结构包括洗边处理后晶圆，以及金属化外延层；所述金属化外延层位于晶圆的洗边处理后暴露的衬底区域上；测试时，所述金属化外延层作为漏极接入点，晶圆上各芯片的源极、栅极分别作为源极接入点、栅极接入点；本发明通过物理气相沉积技术沉积一层金属，形成一个可靠的电气连接点，作为测试时的漏端接入点，解决了厚片功率器件R