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半导体第二章习题解析试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题：

1.在N型半导体中，电子浓度n和空穴浓度p的关系是（）。

A.n?p

B.n≈p

C.n?p

D.与掺杂浓度无关

2.PN结内建电势的表达式为Vbi=(kT/q)ln(NAN_D/ni2)，其中NA和ND分别代表（）。

A.施主浓度、受主浓度

B.受主浓度、施主浓度

C.多子浓度、少子浓度

D.少子浓度、多子浓度

3.关于半导体能带结构，下列说法正确的是（）。

A.导体的禁带宽度为零

B.半导体的禁带宽度通常小于1eV

C.绝缘体的禁带宽度小于半导体的禁带宽度

D.本征半导体的费米能级位于禁带中央

4.漂移电流的公式为Jdrift=qnμE，其中μ代表（）。

A.扩散系数

B.迁移率

C.载流子浓度

D.电场强度

5.PN结正偏时，势垒高度的变化是（）。

A.降低

B.升高

C.不变

D.随机变化

6.爱因斯坦关系D=μkT/q中，D代表（）。

A.迁移率

B.扩散系数

C.电导率

D.载流子寿命

7.在P型半导体中，多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.施主离子

D.受主离子

8.PN结反偏时，主要电流成分是（）。

A.