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半导体制造工艺专有技术许可协议

半导体制造工艺专有技术许可协议

甲方（许可方）：[甲方全称]

法定代表人：[甲方法定代表人姓名]

地址：[甲方注册地址]

乙方（被许可方）：[乙方全称]

法定代表人：[乙方法定代表人姓名]

地址：[乙方注册地址]

鉴于

1.甲方系合法拥有XX节点（14nm及以下）半导体制造工艺专有技术（以下简称“许可技术”）的主体，该技术包含光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等核心工艺参数、操作流程、故障排查Know-how及配套工艺文档，具备完整可实施性；

2.乙方系从事半导体器件制造的企业，拟在其指定工厂内使用许可技术生产特定产品；

3.双方经平等协商，就许可技术的独占许可达成一致，签订本协议。

第一条定义

1.1许可技术：指甲方提供的《XX工艺核心参数手册》《光刻工艺操作规范》《刻蚀工艺故障排查指南》等技术文档及对应的工艺Know-how，不含甲方已公开专利或公开技术；

1.2许可地域：中华人民共和国境内（不含港澳台地区）；

1.3许可产品：使用许可技术制造的功率MOSFET、逻辑芯片（XX系列）两类半导体器件；

1.4许可期限：自本协议生效之日起5年；

1.5改进技术：指任何一方在许可技术基础上进行的优化、创新或衍生技术（含参数调整、流程优化、故障解决方案等）。

第二条许可性质与范围

2.1本协议为独占许可：甲方不得在许可地域内自行使用、再许可第三方使用许可技术，乙