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光催化产氢测试

1972年，著名学术期刊Nature上刊登了日本学者藤昭、本田健一

等的重要研究成果：T102电极在紫外光照射下可以将水分解成氢气和氧

气。他们的成果奠定了光催化产氢技术的理论基础，揭示了氢能源取代化

石燃料的可能性。因此迅速引起了全球科学界的研究热潮。

藤等发现的反应可表示为：

目前认为，半导体的能带结构常由一个充满电子的低能价带(VB)和

一个空的高能导带(CB)构成，价带与导带之间区域称为禁带，区域的大

小称为禁带宽度。半导体禁带宽度一般为0.2-3.OeV,是一个不连续区域。

半导体的特殊能带结构决定了它的光催化特性。

当用能量等于或大于禁带宽度(Eg)的光照射时，半导体价带上的电

子受光激发跃迁到导带，形成带负电的高活性电子，价带上则相应地产生

带正电的空穴，组成电子-空穴对。光生空穴能够与吸附在催化剂表面的

0H-或112。发生反应生成・0H,羟基自由基的氧化活性比空穴更高，能够

氧化多种有机物并使其矿化；空穴本身也能夺取吸附在半导体表面的有机

物中的电子，使原本不吸收光的物质被直接氧化分解。光催化过程实际上

包含光生空穴的氧化反