《电子技术》课件——2.3.2 测试二极管的导电特性.pptxVIP

电子技术二极管的特性CHARACTERISTICSOFDIODE

二极管的伏安特性01二极管的主要参数02

二极管的 伏安特性01

i二极管的伏安特性二极管两端外加电压与流经二极管的电流之间的关系 正向特性反向特性伏安特性uu++++i----

反向击穿电压UBR ?齐纳击穿?雪崩击穿?热击穿外加反向电压大于反向击穿电压二极管被击穿外加正向电压大于死区电压二极管才能导通 ③ 反向截止区 ④正向特性 反向特性导通电压硅管0.5-0.7V，锗管0.2-0.3V 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V②正向导通区非线性①正向死区反向击穿区ui

平时我们说二极管的单向导电性指的就是“正向导通区”和“反向截止区”这两个常用的工作状态二极管的四种工作状态反向截止区正向导通区反向击穿区正向死区

二极管的02主要参数

最大整流电流IF 额定正向工作电流IFM二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向电流。二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。二极管的主要参数

最高反向工作电压URM允许加在二极管两端的最大反向电压。一般为击穿电压的1/2或2/3。反向击穿电压UBR二极管的主要参数最高反向工作电压URMui

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