中山大学 物理专业《现代半导体器件》期末考试复习.pptxVIP

期末考试复习

第二章PN结什么是PN结的击穿？掌握雪崩击穿现象及规律PN结的电容，重点掌握电容的计算方法和公式

第三章双极型晶体管双极型晶体管的电流增益。重点掌握均匀基区晶体管与缓变基区晶体管的增益规律双极型晶体管的直流伏安特性Early电压及其对共射极输出特性曲线的影响双极晶体管的反向电流特性，重点掌握基极电阻的计算方法和过程

第四章结型场效应晶体管JFET的结构与工作原理，重点掌握JEFT的特性曲线金属与半导体接触的物理图像JFET的直流特性

第五章MOSFETMOSFET的结构与工作原理，重点掌握MOSFET的特性曲线反型层的概念和物理图像MOSFET的阈值电压及影响阈值电压的各种因素MOSFET的直流特性，重点掌握Sah方程影响直流特性的非理想因素MOSFET的击穿效应亚阈特性

考试要求考试时间：2013年6月25日9:30am～11:30am。闭卷，独立完成。准备好计算器，基本物理常数可以提供。满分100分。尽量答题，写上思路，尽量不要一点都不写。

祝同学们端午节快乐！考试顺利！