中山大学 物理专业《现代半导体器件》考试大纲.docVIP

考试大纲

第一章：

1.电导率、电阻率、费米统计、掺杂浓度等的计算。

第二章：

1.pn结的能带图，包括平衡能带图，正偏压下能带图，负偏压下能带图，包括他的准费米能级是怎样变化的，要画出来。

2.伏安特性曲线，也就是肖特莱方程，这个方程肯定是不会给的，一定要自己记住。无论是对于n型半导体还是p型半导体，都一定要记住。

3.理想pn结的势垒区，pn结包括两种，突变的，线性缓变结。那么，两种不同的情况下，他们的势垒区宽度，该如何计算，他们的扩散电势是多少。

4.pn结的击穿机制呢，一个是雪崩击穿，一个是隧道击穿。比如雪崩击穿的机制是怎么样，怎么样判断两种不同材料，哪一种雪崩击穿更容易实现。这个过程，要清楚它的原理，了解击穿机制。

5.有两种电容，一个是势垒电容，一个是扩散电容。那么哪种电容在正电压下起决定作用，哪种电容在负电压下，起决定作用。基本表达式要会。电容的表达式会给，包括pn结之中的这个复合电流的表达式，会给。

第三章：

1.那么共射级和共基极的连接方法，肯定是要知道。它的基本放大电流的一个基本放大工作原理呢，它的工作电流是怎么放大的，怎么实现一个放大电流。少子是怎么输运的，多子又是怎么样形成复合电流的。那么这个要清楚。发射效率，像基区输运系数，表达式不会给，要自己记住，电流增益的表达式也不会给了