中山大学 物理专业《现代半导体器件》 现代半导体器件期末试卷-2009年.docVIP

《中山大学授予学士学位工作细则》第六条：“考试作弊不授予学士学位。”

PAGE

PAGE1

警示中山大学理工学院2008学年2

警示

现代半导体器件试卷（A）

2006年级微电子专业姓名学号

老师姓名：刘飞考试成绩：

1.在一个掺杂为1015cm－3的(100)晶向的N－Si片上制作Al栅MOSFET。氧化层厚度为120nm，在SiO2界面的表面电荷为3x10

(已知金属Al和P型Si的功函数差为-0.8V，与N型Si的功函数差为0.2V，

，，，ni＝1.5x1010cm-3)

2．双极晶体管的开关过程分为几个阶段？判断开关时间中哪一个时间是影响开关时间的关键，并请详述该物理过程，以及详细分析电容、电流和电压的变化情况。(15分)

3.证明题：(1)请描述PN结按照掺杂浓度分布方式分为几种？并证明线性缓变结的扩散电势,其中a为PN结杂质浓度梯度。(10分)

(2)证明PN结的扩散电势表达式为。(5分)

双极晶体管在大电流下电流增益将如何发生变化？双极晶体管在大电流下存在哪些非理想效应？并请详细解释强场下的有效基区扩展效应。(15分)

均匀掺杂的Si双极晶体管，相对介电常数，扩散系数D