Li-N共掺杂p型ZnO薄膜：形成机制与物理特性深度剖析.docxVIP

Li-N共掺杂p型ZnO薄膜：形成机制与物理特性深度剖析

一、引言

1.1ZnO材料概述

ZnO作为一种直接宽带隙半导体材料，在现代材料科学领域中占据着举足轻重的地位。其晶体通常呈现六方纤锌矿结构，这种独特的原子排列方式赋予了ZnO许多优异的物理性质。在室温条件下，ZnO的带隙宽度约为3.37eV，这一数值使其对特定波长的光具有独特的吸收和发射特性，为其在光学领域的应用奠定了基础。与此同时，ZnO还拥有高达60meV的激子束缚能，这意味着在室温环境中，激子能够保持相对稳定的状态，不易发生解离。激子的稳定性对于实现高效的激子发射过程至关重要，这使得ZnO在短波长光电器件