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铁基二维半导体材料：可控合成与光催化性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代信息技术飞速发展的背景下，半导体材料作为核心基础，对推动电子、通信、能源等众多领域的进步起着关键作用。自20世纪中叶集成电路发明以来，硅基半导体材料凭借其优良的电学性能、成熟的制备工艺和稳定的物理化学性质，在半导体产业中占据了主导地位，极大地推动了信息技术的发展，从大型计算机到如今的智能手机、物联网设备等，硅基集成电路无处不在。

然而，随着集成电路制程工艺不断向更小尺寸迈进，硅基集成电路逐渐面临着诸多难以突破的瓶颈。当器件尺寸缩小到纳米尺度时，短沟道效应愈发显著，导致器件的阈值电压难以精确控制，漏电