1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

CN111048514A 具有延伸穿过层堆叠的沟道开口或支柱的半导体装置和系统以及形成方法 （美光科技公司）.docxVIP

  • 2
  • 0
  • 约3.01万字
  • 约 49页
  • 2026-05-04 发布于山西
  • 举报

CN111048514A 具有延伸穿过层堆叠的沟道开口或支柱的半导体装置和系统以及形成方法 （美光科技公司）.docx

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111048514A

    (43)申请公布日2020.04.21

    (21)申请号201910955875.X

    (22)申请日2019.10.09

    (30)优先权数据

    16/157,9272018.10.11US

    (71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州

    (72)发明人J·D·霍普金斯N·M·洛梅利J·B·德胡特D·法兹尔

    (74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

    代理人王龙

    (51)Int.Cl.

    H01L27/11524(2017.01

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >