摘要
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在现代电子器件追求高性能背景下,器件尺寸不断减小。由于硅基材料不断
接近其理论极限,未来尺寸再减小的空间有限,因此迫切需要厚度薄、性能佳的
可替代材料。MoS2作为过渡金属硫化物中的典型代表,因具有载流子迁移率高、
光吸收能力强、带隙可调、比表面积大等优点,在集成电路、电催化析氢、纳米
器件等领域具有广阔的应用潜力。基于化学气相沉积(CVD)制备MoS2的工艺
虽较为成熟,但得到的MoS2晶粒大多是
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