CN119789457A 一种高耐压场板终端平面栅碳化硅vdmos及制备方法 .pdfVIP

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  • 2026-05-04 发布于重庆
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CN119789457A 一种高耐压场板终端平面栅碳化硅vdmos及制备方法 .pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789457A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510267494.8

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人泰科天润半导体科技(北京)有限公

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人施广彦何佳李昀佶陈彤

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所

(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D

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