35A 1200V NPT IT系列特性与应用.pdfVIP

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HGTG10N120BN,HGTP10N120BN,

HGT1S10N120BNS

2002年8月

35A,1200V,NPT系列N沟道IGBT特性

HGTG10N120BN、HGTP10N120BN和•35A,1200V,TC25°C•1200V开关SOA能力•典型下降

HGT1S10N120BNS是非穿通(NPT)IGBT设计。它们是时间.140ns在TJ=150°C•短路额定值•低导通损耗•雪崩额

MOS栅极高压开关IGBT的新成员。IGBT结合了定•热阻SPICE模型温度补偿SABERTM模型

MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有

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