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基于共栅非共轭忆阻闪存器型神经形态器件制备与性能探究

关键词：共栅非共轭忆阻；闪存器型神经形态器件；制备技术；性能评估；应用前景

1绪论

1.1研究背景与意义

随着人工智能和机器学习技术的迅猛发展，对计算存储设备提出了更高的要求。传统的静态随机存取存储器（SRAM）由于其有限的存储容量和速度限制，已无法满足大规模神经网络处理的需求。因此，开发新型高性能、低功耗的计算存储设备成为了研究的热点。共栅非共轭忆阻闪存器型神经形态器件作为一种新兴的计算存储技术，以其独特的非共轭结构和忆阻特性，展现出巨大的潜力。本研究旨在深入探讨共栅非共轭忆阻闪存器型神经形态器件的制备技术及其性能，为未来相关技术的发展提供理论依据和技术支持。

1.2国内外研究现状

当前，国内外关于忆阻器件的研究已经取得了一系列进展。国际上，多个研究机构和大学已经成功开发出多种忆阻器件，并探索其在数据存储、计算等领域的应用。国内学者也在忆阻器件的基础理论研究和器件制备技术方面取得了显著成果。然而，将忆阻器件应用于神经形态计算领域，尤其是实现大规模的神经网络处理，仍然是当前研究的难点之一。共栅非共轭忆阻闪存器型神经形态器件作为一种新型计算存储设备，其研究尚处于起步阶段，需要进一步的理论探索和技术突破。

1.3研究内容与方法

本研究的主要内容包括：（1）共栅非共轭忆阻闪存器型神经形态器件的理论基础研究；（2）器件的制备过程