摘要
摘要
二维材料由于其原子级厚度、可调节带隙以及优异的光电特性在光电子领
域发挥了重要作用。二维材料家族种类繁多,探测波段可从紫外覆盖到太赫兹波
段,其中典型代表有石墨烯、黑鳞、氮化硼和过渡金属硫族化合物(TMDs)等。
然而受限于单一材料光学带隙,存在光吸收率低,探测波段窄等问题。基于此,
通过设计新型复合材料光电探测器有效的拓宽了响应波段,同时研究了复合结
构与异质结两种器件结构对光电性能的影响,其次通过对WS2
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