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2026/5/5北京航空航天大学202教研室1第一章问题PN结形成过程中载流子扩散运动/漂移运动对结宽的影响？解：扩散?结宽增加漂移?结宽减小最终两者平衡！PN结，正反偏时，载流子扩散运动/漂移运动的变化，结宽的变化？解：正偏?浓度增加?结宽减小（由浓度增加引起）总结：２在１的平衡的基础上分析；两者的引起原因不同！

2026/5/5北京航空航天大学202教研室2PN结形成过程中载流子扩散运动/漂移运动对结宽的影响？解：扩散?结宽增加漂移?结宽减小最终两者平衡！PN结，正反偏时，载流子扩散运动/漂移运动的变化，结宽的变化？解：正偏?浓度增加?结宽减小(由浓度增加引起)?漂移抑制浓度增加?扩散增强总结：２在１的平衡的基础上分析；两者的引起原因不同！

2026/5/5北京航空航天大学202教研室3P型半导体区－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体区++++++++++++++++++++++++①扩散运动③内建电场E④漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。②空间电荷区，也称耗尽层。

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