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FQP19N20C FQPF19N20C N沟道MOSFET技术规格与应用.pdfVIP

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  • 2026-05-11 发布于北京
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FQP19N20C FQPF19N20C N沟道MOSFET技术规格与应用.pdf

    2013年3月

    P9N20C/F

    FQ1

    QPF19N20CN通道QFET

    MOSFET200V，19A，170mΩ

    描述

    此N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild特性

    ®•19A，200V，RDS(导通)=170mΩ（最大值）

    Semiconductor的专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先

    @VGS10V，ID=9.5A

    进的MOSFET技术特别优化以降低导通电阻，并卓越的

    •低栅极电荷（典型值40.5nC）

    开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、

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