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半导体QE工程师笔试真题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内。每题2分，共30分）

1.在半导体器件中，P型半导体中主要载流子是？

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

2.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的基本结构不包括以下哪一部分？

A.源极（Source）

B.漏极（Drain）

C.集电极（Collector）

D.栅极（Gate）

3.下列哪种键合方式通常用于高频率、高导热性封装？

A.热压焊

B.超声波焊

C.金丝键合

D.焊料凸点键合

4.封装内部的空洞（Void）主要出现在哪个工艺环节？

A.基板制备

B.器件贴装

C.键合过程

D.顶部填充（Underfill）或模塑

5.衡量数据离散程度的统计量是？

A.均值

B.中位数

C.标准差

D.变异系数

6.在SPC（统计过程控制）中，控制图上的控制上限（UCL）通常设置在均值的多少倍标准差处？

A.1倍

B.2倍

C.3倍