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微重力环境下：半浮区液桥对流特性及旋转磁场控制的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料作为电子信息产业的核心基础，其质量和性能对诸多领域的技术突破起着关键作用。而晶体生长技术作为获取高质量半导体材料的关键手段，一直是材料科学领域的研究重点。其中，微重力环境凭借其独特的物理特性，为晶体生长研究开辟了全新的路径，展现出了地面环境无法比拟的优势。

在地面重力环境下，晶体生长过程受到多种因素的干扰，其中重力驱动的对流现象对晶体质量的影响尤为显著。这种对流会导致熔体中的温度和溶质分布不均匀，进而引发晶体内部出现缺陷、杂质聚集以及成分偏析等问题，严重制约了晶体质