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光芯片衬底材料国产化项目可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称：光芯片衬底材料国产化项目

项目建设性质：该项目属于新建工业项目，专注于光芯片衬底材料的研发、生产及销售，致力于推动光芯片衬底材料国产化进程，填补国内高端市场空白。

项目占地及用地指标：该项目规划总用地面积50000平方米（折合约75亩），建筑物基底占地面积36000平方米；项目规划总建筑面积58000平方米，绿化面积3500平方米，场区停车场和道路及场地硬化占地面积10000平方米；土地综合利用面积49500平方米，土地综合利用率99.00%。

项目建设地点：该项目计划选址位于安徽省合肥市高新技术产业开发