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基于分子束外延生长的过渡金属氧化物在非易失存储器件中的研究与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据存储技术已然成为支撑现代社会数字化进程的关键基石。从日常使用的智能手机、平板电脑，到数据中心的大规模服务器，从智能穿戴设备到工业自动化控制系统，各类电子设备对数据存储的需求呈爆发式增长态势。这不仅体现在对存储容量的要求上，更体现在对存储速度、功耗、可靠性以及成本等多方面性能的严苛挑战。传统的存储技术，如静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（NANDFlash），在面对日益增长的数据处理和存储需求时，逐渐暴露出诸多局限性。SRAM虽