CN119497443A 一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池 (晶澳(扬州)太阳能科技有限公司).docxVIP

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  • 2026-05-07 发布于山西
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CN119497443A 一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池 (晶澳(扬州)太阳能科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497443A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411604151.8

(22)申请日2024.11.11

(71)申请人晶澳(扬州)太阳能科技有限公司

地址225131江苏省扬州市经济开发区金

辉路1号

(72)发明人唐文帅刘静静范华磊

(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219

专利代理师冯亚娥王安娜

(51)Int.Cl.

H10F71/00(2025.01)

H10F77/1223(2025.01)

H10F77/14(2025.01)

H10F10/14(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图7页

(54)发明名称

一种背接触太阳能电池的制备方法及背接

触太阳能电池

(57)摘要

CN119497443A本发明公开了一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池,涉及太阳能电池制造技术领域,该方法包括:在硅基体厚度方向的第一主表面由内至外依次制备包含有第一掺杂元素的发射极和氧化层;对第一主表面上第一区域的发射极以及氧化层进行去除并抛光;在硅基体厚度方向的第二主表面以及第一区域由内至外依次制备隧穿氧化层和包含有第二掺杂元素的掺杂多晶硅层,以在第二主表面以及第一区域的表面

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