CN119497414A 一种碳化硅mosfet器件及其制备方法 （西安龙飞电气技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497414A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202510081069.X

(22)申请日2025.01.20

(71)申请人西安龙飞电气技术有限公司

地址710018陕西省西安市经济技术开发

区凤城十二路1号西安关中综合保税

区A区龙腾产业园

(72)发明人温建功曹琳杨乐郑丽君

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

专利代理师王丹

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图11页

(54)发明名称

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法

(57)摘要

CN119497414A本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。包括：源极金属、碳化硅结构、N一型第二碳化硅外延层、层间绝缘介质、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第一N型掺杂区、N+型第一源区、第二N型掺杂区、P型体区、N+型第二源区；源极沟槽贯穿N一型第二碳化硅外延层至第一P型掺杂区和第二P型掺杂区内，外侧被P型源区包围，内部有源极金属；栅极沟槽内有栅氧化层并淀积有多晶硅作为栅