碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第3部分：动态栅偏.pdfVIP

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）试验方法第3部分：动态

栅偏

Measurementmethodforsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductor

field-effecttransistor(SiCMOSFET)—Part3:Dynamicgatestress

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（征求意见稿）

2026410

（本草案完成时间：年月日）

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XXXX-XX-XX发布