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双通道增强型场效应晶体管沟道沟道特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-05-12 发布于北京
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双通道增强型场效应晶体管沟道沟道特性与应用.pdf

    1996年7月

    N

    NDS8928双通道增强型场效应晶体管（N沟道和P沟道）

    概述特性

    这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用N沟道：5.5A，20V，R=00.035@V=45V，

    DS(ON)GS

    0.045@2

    National专有的高单元密度DMOS技术制造。这种高R=0V=7V；P沟道：‑3.8A，‑20V，

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