电子专业开题报告：后摩尔时代新型半导体材料与器件研究.pdfVIP

一、课题背景及意义

伴随着人类社会进入到高速时代，电子集成的速度也在不断

加快。小型化，精密化，高集成度已经成为器件的发展方向。高速

的信息传输和不断扩大的需求也在不断加剧着这一进程。以后摩尔时

代传统的硅基intel公司的酷睿i系列为例，i912900k的制作

工艺已经达到了10纳米，睿频更是达到了5.20Ghz。而公司已在2020

年就推出了5纳米的测试。但随着制作工艺不断的精进，场效应管的

尺寸不断缩小，当的特征尺寸减小到45纳米时，传统SiO栅极

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电介质的厚度将小于3纳米，此时已经不再合适作为该尺寸下的栅极电介

质。作为栅极电介质SiO厚度由3.5nm减少至1.5nm时，栅极电介