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薄膜有源集成电路项目可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称

薄膜有源集成电路项目

项目建设性质

本项目属于新建高新技术产业项目，专注于薄膜有源集成电路的研发、生产与销售，旨在填补区域内该领域高端产品的产能缺口，推动我国半导体产业链关键环节的自主化发展。

项目占地及用地指标

本项目规划总用地面积52000.36平方米（折合约78.00亩），建筑物基底占地面积37440.26平方米；规划总建筑面积61209.68平方米，其中生产车间面积42800.52平方米、研发中心面积8600.35平方米、办公用房4500.28平方米、职工宿舍3200.15平方米、配套辅助设施2008