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- 2026-05-12 发布于广东
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深圳市富满电子集团股份有限公司
SHENZHENFINEMADEELECTRONICSGROUPCO.,LTD.
TC4606B(文件编号:SCIC1603)双重增强型MOSFET(N-P沟道)
N沟道P沟道
30V/7A-30V/-5.5A
RDS(ON)18mtyp.@VGS10VRDS(ON)40mtyp.@VGS-10V
Ω()Ω()
RDS(ON)25mtyp.@VGS4.5VRDS(ON)62mtyp.@VGS-4.5V
Ω()Ω()
特点
超高密度电池设计
可靠耐用
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