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- 2026-05-12 发布于广东
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深圳市富满电子集团股份有限公司
SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.,LTD.
9435/B(文件编号:SCIC1924)20VP沟道增加型MOS场效应管
VDS-20V
R,V@-4.5V,I@-3.0A68mΩ@TYP
DS(ON)gsds
R,V@-2.5V,I@-2.5A90mΩ@TYP
DS(ON)gsds
特点
高级的加工技术
极低的导通电阻高密度的单元设计
改良的成型工艺
InternalSchemaicDiagram
封装图:SOP-8内部结构示意图
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