Ⅲ-Ⅴ族(GaN)与Ⅱ-Ⅵ族(ZnTe)半导体材料：制备工艺与光学特性的深度剖析.docxVIP

Ⅲ-Ⅴ族(GaN)与Ⅱ-Ⅵ族(ZnTe)半导体材料：制备工艺与光学特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料作为关键的基础材料，在电子、光电、能源等众多领域都发挥着举足轻重的作用，已然成为推动各领域技术进步和创新发展的核心要素。从日常生活中广泛使用的智能手机、电脑等电子设备，到关乎国家战略安全的航空航天、国防军事等高端领域，半导体材料的身影无处不在，其性能的优劣直接决定了相关器件和系统的性能与功能。

Ⅲ-Ⅴ族的GaN和Ⅱ-Ⅵ族的ZnTe半导体材料，凭借自身独特的物理性质和优异的光电性能，在整个半导体材料研究领域占据着极为关键的