CN120109013A 一种高深宽比大角度硅基斜孔的干法刻蚀方法及封装结构 .pdfVIP

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  • 2026-05-10 发布于重庆
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CN120109013A 一种高深宽比大角度硅基斜孔的干法刻蚀方法及封装结构 .pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120109013A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510260487.5

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人华天科技(昆山)电子有限公司

地址215300江苏省苏州市昆山市经济开

发区龙腾路112号

(72)发明人孔旭蒋兴龙刘轶马书英

(74)专利代理机构苏州国诚专利代理有限公司

32293

专利代理师杜丹盛

(51)Int.Cl.

H01L21/306(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图3页

(54

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