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GaN功率晶体管的动态导通电阻测量技术的挑战和方法

动态导通\t/article/83/2021/_blank电阻对于GaN功率晶体管的可靠和稳定运行至关重要。然而，许多工程师都在努力评估动态RDS(ON)，因为很难以足够的分辨率对其进行一致\t/article/83/2021/_blank测量。在本文中，我们将讨论使用带钳位电路的双脉冲\t/article/83/2021/_blank测试系统测量动态RDS(ON)的技术

GaN功率晶体管的“\t/article/83/2021/_blank电流崩溃”行为

虽然GaN功率\t/article/83/2021/_blank晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中越来越受欢迎，但设计工程师仍然对其可靠性有一些担忧。GaN功率晶体管的关键问题之一是它们在\t/article/83/2021/_blank开关操作期间的动态导通电阻(RDS(ON))增加，这种现象称为“电流崩溃”。当施加高漏极关断电压时，电流崩溃是晶体管结构中被俘获电子的结果。在开启事件期间清除被捕获的电子需要时间，其特征在于动态RDS(ON)测量。增加的动态RDS(ON)会降低GaN功率晶体管的传导损耗并导致更高的温度，这会影响GaN功率晶体管和整个系统的可靠性。虽然很多厂